Sadržaj:
Definicija - Što znači Flash memorija?
Flash memorija je nehlapljivi memorijski čip koji se koristi za pohranu i za prijenos podataka između osobnog računala (PC) i digitalnih uređaja. Ima mogućnost elektronskog reprogramiranja i brisanja. Često ga nalazimo u USB flash pogonima, MP3 uređajima, digitalnim fotoaparatima i SSD uređajima.
Flash memorija je vrsta elektronički izbrisive programibilne memorije samo za čitanje (EEPROM), ali može biti i samostalni memorijski uređaj poput USB pogona. EEPROM je vrsta memorijskog uređaja koji koristi elektronički uređaj za brisanje ili pisanje digitalnih podataka. Flash memorija je različita vrsta EEPROM-a koja se programira i briše u velikim blokovima.
Flash memorija uključuje upotrebu tranzistora s pomičnim vratima za pohranu podataka. Tranzistori s plivajućim vratima ili MOSFET s plutajućim vratima (FGMOS) sličan je MOSFET-u, koji je tranzistor koji se koristi za pojačavanje ili prebacivanje elektronskih signala. Tranzistori s plutajućim vratima električno su izolirani i koriste plutajući čvor u istosmjernoj struji (DC). Flash memorija je slična standardnoj MOFSET, osim što tranzistor ima dva vrata umjesto jednog.
Techopedia objašnjava Flash memoriju
Flash memorija prvi je put uvedena 1980. godine, a razvio ju je dr. Fujio Masuoka, izumitelj i rukovoditelj tvornice srednje razine u Toshiba Corporation (TOSBF). Flash memorija je dobila ime po svojoj mogućnosti da u trenutku izbrisati blok podataka "". "Cilj dr. Masuoka bio je stvoriti memorijski čip koji čuva podatke kada je bio isključen. Dr Masuoka je također izumio vrstu memorije poznate kao SAMOS je razvio 1Mb dinamičku memoriju sa slučajnim pristupom (DRAM). 1988. Intel je proizvela prvi komercijalni blic čip tipa NOR, koji je zamijenio čip trajne memorije (ROM) na matičnim pločama računala koji sadrži osnovni ulaz / izlaz koji radi sustav (BIOS).
Čip flash memorije sastoji se od vrata NOR ili NAND. NOR je vrsta memorijske ćelije koju je Intel stvorio 1988. NOR sučelje vrata podržava potpune adrese, sabirnice podataka i slučajni pristup bilo kojoj memorijskoj lokaciji. Rok trajanja NOR bljeskalice je 10.000 do 1.000.000 ciklusa pisanja / brisanja.
NAND je Toshiba razvila godinu dana nakon proizvodnje NOR-a. Brži je, ima niži trošak po bit, zahtijeva manje površine čipa po ćeliji i dodatnu otpornost. Rok trajanja NAND vrata je otprilike 100 000 ciklusa pisanja / brisanja. Kod bljeskalice na NOR-u svaka ćelija ima kraj spojen na malo liniju, a drugi kraj na zemlju. Ako je riječ riječ "visoka", tranzistor nastavlja spustiti liniju izlaznog bita.
Flash memorija ima brojne značajke. Mnogo je jeftiniji od EEPROM-a i ne zahtijeva baterije za SSD kao što su statički RAM. Nehlapiva je, ima vrlo brzo vrijeme pristupa i veću otpornost na kinetički šok u odnosu na pogon tvrdog diska. Flash memorija je izuzetno izdržljiva i može podnijeti intenzivan pritisak ili ekstremne temperature. Može se koristiti za široku lepezu aplikacija poput digitalnih fotoaparata, mobilnih telefona, prijenosnih računala, PDA (osobni digitalni pomoćnici), digitalnih audio playera i SSD-ova.
